C chifang 🏅🔰🔰 金幣 0 2012/02/05 #2 一次光學劣化因為劣質封裝技術 導致 熱電阻高(升溫15~20c/w) 熱在裡面出不來 所以 一次光學因高溫加速劣化.... 熱電阻定義 晶片溫度 到封裝燈粒最底部焊接端溫差 如 熱電阻 15c/w 晶粒 從晶粒底部到晶片內部溫差 如果驅動 1w 升溫15度 如果驅動2.5w(700mA) 升溫37.5度 所以 在鋁基板燈粒這邊的溫度量測點 如果點亮時量測到 60度 那LED晶片內部 約有100度 長期在100度溫度下 一次光學加速劣化 LED還沒燒壞 一次光學先變黑了.....
一次光學劣化因為劣質封裝技術 導致 熱電阻高(升溫15~20c/w) 熱在裡面出不來 所以 一次光學因高溫加速劣化.... 熱電阻定義 晶片溫度 到封裝燈粒最底部焊接端溫差 如 熱電阻 15c/w 晶粒 從晶粒底部到晶片內部溫差 如果驅動 1w 升溫15度 如果驅動2.5w(700mA) 升溫37.5度 所以 在鋁基板燈粒這邊的溫度量測點 如果點亮時量測到 60度 那LED晶片內部 約有100度 長期在100度溫度下 一次光學加速劣化 LED還沒燒壞 一次光學先變黑了.....
B blizzardkk 🔰 金幣 0 2012/02/05 #3 chifang 說： 一次光學劣化因為劣質封裝技術 導致 熱電阻高(升溫15~20c/w) 熱在裡面出不來 所以 一次光學因高溫加速劣化.... 熱電阻定義 晶片溫度 到封裝燈粒最底部焊接端溫差 如 熱電阻 15c/w 晶粒 從晶粒底部到晶片內部溫差 如果驅動 1w 升溫15度 如果驅動2.5w(700mA) 升溫37.5度 所以 在鋁基板燈粒這邊的溫度量測點 如果點亮時量測到 60度 那LED晶片內部 約有100度 長期在100度溫度下 一次光學加速劣化 LED還沒燒壞 一次光學先變黑了..... 按一下展開…… 請問這種熱阻計算法是已包含晶片發光效率了嗎? 因為晶片700ma時如果2.5W實際上產生的熱應該沒這麼大,是否可抓50%如1.25W當熱量? 這樣預估是否正確??
chifang 說： 一次光學劣化因為劣質封裝技術 導致 熱電阻高(升溫15~20c/w) 熱在裡面出不來 所以 一次光學因高溫加速劣化.... 熱電阻定義 晶片溫度 到封裝燈粒最底部焊接端溫差 如 熱電阻 15c/w 晶粒 從晶粒底部到晶片內部溫差 如果驅動 1w 升溫15度 如果驅動2.5w(700mA) 升溫37.5度 所以 在鋁基板燈粒這邊的溫度量測點 如果點亮時量測到 60度 那LED晶片內部 約有100度 長期在100度溫度下 一次光學加速劣化 LED還沒燒壞 一次光學先變黑了..... 按一下展開…… 請問這種熱阻計算法是已包含晶片發光效率了嗎? 因為晶片700ma時如果2.5W實際上產生的熱應該沒這麼大,是否可抓50%如1.25W當熱量? 這樣預估是否正確??
C chifang 🏅🔰🔰 金幣 0 2012/02/09 #4 led 內部導熱不好解的主要挑戰是，極小晶片溫度很高的熱點，這與Cpu Gpu 固態晶片封裝在導熱膠體裡有點不一樣，由其是藍寶石基磊晶晶片，如何降低內部熱阻一直都嚴峻挑戰。
